A.发射区禁带变宽
B.发射区禁带变窄
C.俄歇复合减弱
D.俄歇复合增强
第1题
A.提高发射区的掺杂浓度
B.采用宽禁带基区材料
C.减小基区掺杂浓度
D.减少发射结复合电流
第2题
第3题
A.发射区低掺杂
B.发射区高掺杂
C.基区很薄,且掺杂浓度较低
D.基区较厚,且高掺杂
第4题
A.增加发射区掺杂浓度
B.增加基区掺杂浓度
C.增加集电区掺杂浓度
D.减少发射结结深
第5题
A.铟
B.硼
C.镓
D.砷
第6题
A.发射区
B.基区
C.收集区
D.源区
第7题
A.俄林
B.亚当•斯密
C.赫克歇尔
D.大卫•李嘉图
第8题
A.射线
B.γ射线
C.α射线
D.俄歇电子
E.其他
第9题
A.γ射线
B.β射线
E.内转换电子
第10题
A.基区
B.集电区
C.发射区
D.栅区
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