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[判断题]

在异质结双极型晶体管中,通常将发射结作成异质结,即用宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区。()

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第1题

下面哪一种不是异质结双极型晶体管的特点()。

A.基区禁带宽

B.基区宽度窄

C.基区掺杂浓度高

D.特征频率高

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第2题

下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率()。

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

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第3题

造成发射区重掺杂效应的原因有()。

A.发射区禁带变宽

B.发射区禁带变窄

C.俄歇复合减弱

D.俄歇复合增强

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第4题

采用方块电阻来表示双极型晶体管,无论是均匀基区晶体管还是缓变基区晶体管,其表达式都是一样的。()
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第5题

双极型晶体管由两个背靠背的、相互作用(很靠近)的pn结组成。()
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第6题

只有光子能量大于PN结禁带宽度的光才能产生光伏效应,才能使太阳能电池有电压输出()
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第7题

如果要有效降低n型半导体中的少子寿命,在禁带中引入的深能级应位于____附近。 ()

A.导带底

B.价带顶

C.费米能级

D.禁带中央

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第8题

反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的种类、掺杂浓度和温度。半导体材料的禁带宽度越大,则ni越大,反向饱和电流就越大。()
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第9题

N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级),在能带中应处于()。
N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级),在能带中应处于()。

A.满带中

B.导带中

C.禁带中,但接近满带顶

D.禁带中,但接近导带底

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第10题

以下能够有效增加npn晶体管输出电阻的途径为()。

A.增加发射区掺杂浓度

B.增加基区掺杂浓度

C.增加集电区掺杂浓度

D.减少发射结结深

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