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第1题
分别计算掺有下列杂质的Si,在室温时的载流子浓度、迁移率和电阻率:
①硼原子3X1015cm-3;
②硼原子1.3X1015cm-3+磷原子1.0X1016cm-3:
③磷原子1.3X1015cm-3+硼原子1.0X1016cm-3:
④磷原子3X1015cm-3+镓原子1X1017cm-3+砷原子1X1017cm-3。
第4题
A.软质玻璃(普通玻璃)，多制成不需要加热的器皿
B.硬质玻璃(硼硅玻璃)，可制成加热的器皿
C.硬质玻璃器皿可用于硼、锌、砷元素的测定
D.硬质玻璃器皿不能用于硼、锌、砷元素的测定
第5题
制造晶体管--般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。
①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300k时的EF位于导带底.下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。
②设n型外延层杂质均匀分布,杂质浓度为4.6x1015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。
③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2x1015cm-¿39 40¿
④如温度升高到500K，计算③中电子和空穴的浓度(本征载流子浓度、数值查图3-7)。
第8题
第9题
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