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第1题
从三极管的内部制造工艺来看,主要由以下两个特点()。
A.发射区低掺杂
B.发射区高掺杂
C.基区很薄,且掺杂浓度较低
D.基区较厚,且高掺杂
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第3题
基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比,称为基区输运系数。()
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第4题
人鼠嵌合抗体是将鼠源单抗的什么区域与人抗体恒定区拼接构成()。
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第5题
下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率()。
A.提高发射区的掺杂浓度
B.采用宽禁带基区材料
C.减小基区掺杂浓度
D.减少发射结复合电流
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第6题
衬源短接的增强型NMOSFET,VDS>0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在?()
A.源区
B.沟道区靠近源区一侧
C.沟道区靠近漏区一侧
D.漏区
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第7题
从发射区注入基区的多子形成的电流与总的发射极电流之比,称为注入效率。()
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第8题
三极管共射极的直流输出特性曲线不包括那个区域()。
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第9题
以下能够有效增加npn晶体管输出电阻的途径为()。
A.增加发射区掺杂浓度
B.增加基区掺杂浓度
C.增加集电区掺杂浓度
D.减少发射结结深
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第10题
三极管发射极电流主要由发射区电子电流产生。()
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