题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率（）。

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

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第1题

以下能够有效增加npn晶体管输出电阻的途径为（）。

A.增加发射区掺杂浓度

B.增加基区掺杂浓度

C.增加集电区掺杂浓度

D.减少发射结结深

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第2题

下面哪种措施不能提高双极型晶体管的开关速度：（）。

A.减小集电区的掺杂浓度

B.在集电区引入产生-复合中心

C.减小集电区宽度

D.减小基区宽度

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第3题

下面哪一种不是异质结双极型晶体管的特点（）。

A.基区禁带宽

B.基区宽度窄

C.基区掺杂浓度高

D.特征频率高

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第4题

在异质结双极型晶体管中，通常将发射结作成异质结，即用宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区。（)

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第5题

从三极管的内部制造工艺来看，主要由以下两个特点（)。

A.发射区低掺杂

B.发射区高掺杂

C.基区很薄，且掺杂浓度较低

D.基区较厚，且高掺杂

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第6题

在双极型晶体管中，提高集电区掺杂浓度可以抑制：（）。

A.集电区穿通效应

B.Early效应

C.基区穿通效应

D.Webster效应

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第7题

采用方块电阻来表示双极型晶体管，无论是均匀基区晶体管还是缓变基区晶体管，其表达式都是一样的。（)

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第8题

基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比，称为基区输运系数。（)

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第9题

造成发射区重掺杂效应的原因有（)。

A.发射区禁带变宽

B.发射区禁带变窄

C.俄歇复合减弱

D.俄歇复合增强

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第10题

npn晶体管中，集电极电压偏置状态将阻止集电区中的()向基区运动，有利于基区中扩散过来的()收集到集电极形成集电极电流。

npn晶体管中，集电极电压偏置状态将阻止集电区中的（)向基区运动，有利于基区中扩散过来的（)收集到集电极形成集电极电流。

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