题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

以下能够有效增加npn晶体管输出电阻的途径为（）。

A.增加发射区掺杂浓度

B.增加基区掺杂浓度

C.增加集电区掺杂浓度

D.减少发射结结深

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第1题

下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率（）。

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

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第2题

从三极管的内部制造工艺来看，主要由以下两个特点（)。

A.发射区低掺杂

B.发射区高掺杂

C.基区很薄，且掺杂浓度较低

D.基区较厚，且高掺杂

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第3题

在双极型晶体管中，提高集电区掺杂浓度可以抑制：（）。

A.集电区穿通效应

B.Early效应

C.基区穿通效应

D.Webster效应

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第4题

下面哪种措施不能提高双极型晶体管的开关速度：（）。

A.减小集电区的掺杂浓度

B.在集电区引入产生-复合中心

C.减小集电区宽度

D.减小基区宽度

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第5题

减小NMOSFET晶体管的亚阈摆幅措施为（）。

A.增加氧化层厚度

B.提高沟道区掺杂浓度

C.降低沟道长度

D.增加衬-源反偏电压

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第6题

下面哪一种不是异质结双极型晶体管的特点（）。

A.基区禁带宽

B.基区宽度窄

C.基区掺杂浓度高

D.特征频率高

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第7题

在掺杂半导体中，少子的浓度受（)的影响很大。

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.压力

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第8题

在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于（)。

A.材料

B.温度

C.压力

D.掺杂浓度

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第9题

在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度（)。

A.越高

B.越低

C.不变

D.无法判断

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第10题

PN结的内建电势与（)有关。

A.温度

B.掺杂浓度

C.材料种类

D.外加电压

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