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[单选题]

在掺杂半导体中，少子的浓度受（)的影响很大。

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.压力

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第1题

在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于（)。

A.材料

B.温度

C.压力

D.掺杂浓度

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第2题

在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度（)。

A.越高

B.越低

C.不变

D.无法判断

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第3题

从三极管的内部制造工艺来看，主要由以下两个特点（)。

A.发射区低掺杂

B.发射区高掺杂

C.基区很薄，且掺杂浓度较低

D.基区较厚，且高掺杂

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第4题

以下能够有效增加npn晶体管输出电阻的途径为（）。

A.增加发射区掺杂浓度

B.增加基区掺杂浓度

C.增加集电区掺杂浓度

D.减少发射结结深

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第5题

下面哪种方式无法减少pn结的扩散电容:（）。

A.减小少子寿命

B.减小结面积

C.减小掺杂浓度

D.减小正向直流偏压

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第6题

半导体的主要特点有（)。

A.在纯净的半导体材料中，电导率随温度的上升而指数增加

B.半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率，而且在掺杂情况下，温度对电导率的影响较弱

C.在半导体中不可以实现非均匀掺杂

D.光的辐射、高能电子等注入可以影响半导体的电导率

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第7题

PN结的内建电势与（)有关。

A.温度

B.掺杂浓度

C.材料种类

D.外加电压

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第8题

反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的种类、掺杂浓度和温度。半导体材料的禁带宽度越大，则ni越大，反向饱和电流就越大。（)

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第9题

下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率（）。

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

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第10题

在双极型晶体管中，提高集电区掺杂浓度可以抑制：（）。

A.集电区穿通效应

B.Early效应

C.基区穿通效应

D.Webster效应

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