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[多选题]

PN结的内建电势与()有关。

A.温度

B.掺杂浓度

C.材料种类

D.外加电压

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第1题

单边突变结的()主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

A.内建电势

B.耗尽区宽度

C.最大电场

D.势垒高度

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第2题

在PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,当PN结外加反向电压时,扩散电流漂移电流

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第3题

下列选项中哪些属于对二极管PN结的单向导电性的描述?

A.PN结外加正向电压时,PN结表现为低阻态,处于正向导通状态,其正向压降只有1V左右。

B.PN结的反向电压过大时,会破坏PN的反向截止状态,发生雪崩击穿,导致反向电流急剧增大。

C.PN结外加反向电压时,PN结表现为高阻态,处于反向截止状态,只有很小的反向漏电流从阴极流入经PN结后从阳极流出。

D.二极管PN结因反向电压过大出现雪崩击穿时,PN结所在电流回路若不能将急剧增大的PN结反向电流限制住,则可能导致器件过热而烧毁。

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第4题

在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于()。

A.材料

B.温度

C.压力

D.掺杂浓度

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第5题

下面哪种方式无法减少pn结的扩散电容:()。

A.减小少子寿命

B.减小结面积

C.减小掺杂浓度

D.减小正向直流偏压

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第6题

下列描述不正确的是()。

A.二极管的主体是PN结,但两者特性仍有区别

B.半导体、本征半导体均具有导电能力

C.当PN结外加正向电压超过一定大小时,PN结将被击穿

D.二极管特性曲线分三个区:正向工作区、反向工作区、击穿区

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第7题

反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的种类、掺杂浓度和温度。半导体材料的禁带宽度越大,则ni越大,反向饱和电流就越大。()
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第8题

在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.压力

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第9题

已知硅PN结两侧的杂质浓度分别为Na=1016cm-3,Nd=1.5X1017cm-3.试求温度在27°C和100°C时的内建电位差VB,并进行比较.

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第10题

pn结的种类有()。

A.合金结

B.生长结

C.扩散或离子注入结

D.场感应结

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