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[判断题]
N沟道增强型MOSFET饱和区工作条件是删源电压VGS大于开启电压VT,漏源电压 VDS 大于 删源电压VGS和开启电压VT之差（）
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饱和区，可变电阻区，预夹断临界点或截止)。
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第1题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下，其VT或VP值也已知，试判断该管工作在什么区域(
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下，其VT或VP值也已知，试判断该管工作在什么区域（
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第3题
电路如图题5.2.2所示，设R1=R2=100 kΩ，VDD=5 V, Rd=7.5 kΩ，VT= -1 V, Kp=0.2 mA/V2。试计算图
题5.2.2所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
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第5题
电路如图题4.3.2所示，设R1=R2=100千欧， VDD=5V，Rd=7.5千欧， VTP= -1V，K
P=0.2 mA/V2。试计算图题4.3.2所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
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第7题
已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为Kp=0.2 mA/V2, Vp=0.5V, ip= -0.5 mA(假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅源电压Ucs和漏源电压Ups等于多少?
已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为Kp=0.2 mA/V2, Vp=0.5V, ip= -0.5 mA（假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅源电压Ucs和漏源电压Ups等于多少？
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第8题
已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为Kp=0.2 mA/V2, Vp=0.5V, ip= -0.5 mA（假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅源电压Ucs和漏源电压Ups等于多少？
第10题
图题5.1.1 所示为MOSFET的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如是增强型，说明它的开启电压VT=
？如是耗尽型，说明它的夹断电 压VP=？(图中ip的假定正向为流进漏极)
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