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[主观题]
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下，其VT或VP值也已知，试判断该管工作在什么区域(
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下，其VT或VP值也已知，试判断该管工作在什么区域（
饱和区，可变电阻区，预夹断临界点或截止)。
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更多“测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下，其VT或VP值…”相关的问题
第1题
已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为Kp=0.2 mA/V2, Vp=0.5V, ip= -0.5 mA（假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅源电压Ucs和漏源电压Ups等于多少？
第3题
已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为Kp=0.2 mA/V2, Vp=0.5V, ip= -0.5 mA（假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅源电压Ucs和漏源电压Ups等于多少？
第6题
已知电路如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)所示，该电路的交，直流负载线绘于图题4.3.5中。试求：(1)电
已知电路如图题4.3.3a（主教材图4.3.7a)所示，该电路的交，直流负载线绘于图题4.3.5中。试求：（1)电
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源电压VDD，静态栅源电压VGS，漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ，Rg2等于多少？(3) Rd、RL的值分别为多少？(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。
第7题
电路如图题5.2.2所示，设R1=R2=100 kΩ，VDD=5 V, Rd=7.5 kΩ，VT= -1 V, Kp=0.2 mA/V2。试计算图
题5.2.2所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
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第8题
图示为某电路的部分电路，各已知的电流及元件值已标示在图中，求电流I、电压源U3和电阻R。
图示为某电路的部分电路，各已知的电流及元件
值已标示在图中，求电流I、电压源U3和电阻R。
第9题
一个 MOSFET的转移特性如图题5.1.2所示(其中漏极电流ip的假定正向是它的实际方向)。试问：（1）该
一个 MOSFET的转移特性如图题5.1.2所示（其中漏极电流ip的假定正向是它的实际方向)。试问：（1）该
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一个 MOSFET的转移特性如图题5.1.2所示(其中漏极电流ip的假定正向是它的实际方向)。试问：
（1）该管是耗尽型还是增强型？
（2）是N沟道还是P沟道FET？
（3）从这个转移特性上可求出该FET具有夹断电压Vp还是开启电压VT？其值等于多少？
第10题
电路如图题5.2.1(主教材图5.2.1b)所示，设Rg1=90 k2, Rg2=60kΩ，Rd=30 kΩ， VDD=5 V，VT=1 v, Kn
电路如图题5.2.1（主教材图5.2.1b)所示，设Rg1=90 k2, Rg2=60kΩ，Rd=30 kΩ， VDD=5 V，VT=1 v, Kn
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=0.1 mA/V2。试计算电路的栅源电压VCS和漏源电压VDS.
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