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[判断题]
当N沟道增强型MOSFET的VDS增大,VGD会增大,当VGD增大至开启电压VT时产生预夹断（）
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第2题
已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|V≇
已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,
Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|VA|=200V,VDS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流IDQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻rds,放大因子μ.(2)当VDS增加10%时,相应的IDQ值.(3)画出小信号电路模型.
第3题
图题5.1.1 所示为MOSFET的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如是增强型，说明它的开启电压VT=
？如是耗尽型，说明它的夹断电 压VP=？(图中ip的假定正向为流进漏极)
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第4题
图题5.1.1 所示为MOSFET的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如是增强型，说明它的开启电压VT=
？如是耗尽型，说明它的夹断电 压VP=？(图中ip的假定正向为流进漏极)
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第6题
电路如图题5.2.2所示，设R1=R2=100 kΩ，VDD=5 V, Rd=7.5 kΩ，VT= -1 V, Kp=0.2 mA/V2。试计算图
题5.2.2所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
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第7题
设N沟道增强型MOSFET的参数为VT= 1V,W = 100 μm, L=5 μm, μn=650 cm2/V·s, Cox=76.7 x10-9 F/cm2。当Vcs=2V，MOSFET工作在饱和区，试计算此时场效管的工作电流Ip.
第9题
一个 MOSFET的转移特性如图题5.1.2所示(其中漏极电流ip的假定正向是它的实际方向)。试问：（1）该
一个 MOSFET的转移特性如图题5.1.2所示（其中漏极电流ip的假定正向是它的实际方向)。试问：（1）该
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一个 MOSFET的转移特性如图题5.1.2所示(其中漏极电流ip的假定正向是它的实际方向)。试问：
（1）该管是耗尽型还是增强型？
（2）是N沟道还是P沟道FET？
（3）从这个转移特性上可求出该FET具有夹断电压Vp还是开启电压VT？其值等于多少？
第10题
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下，其VT或VP值也已知，试判断该管工作在什么区域(
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下，其VT或VP值也已知，试判断该管工作在什么区域（
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饱和区，可变电阻区，预夹断临界点或截止)。
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