‎MOS电容器的基本结构包含()。‌

A.金属-氧化物-半导体接触中，半导体中靠近氧化物的区域

B.金属-氧化物接触中，氧化物中靠近金属的区域

C.P型半导体-N型半导体接触时产生的结区

D.金属-半导体接触中，半导体中靠近金属的区域

A.源极

B.栅极

C.漏极

D.基极

A.不间断供电系统

B.基本输入输出系统

C.金属互补氧化物半导体存储器

D.加电自检

A.减少衬底掺杂浓度

B.减少SiO₂/Si界面处的固定电荷密度

C.减少氧化层厚度

D.降低器件工作温度

A.光敏二极管

B.MOS电容器

C.PN结

D.P型硅

A．氧化硅

B．金属催化剂

C．骨架催化剂

D．金属氧化物

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

A.电子

B.电离施主

C.空穴

D.电离受主