MOS场效应管结构包括（)。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

A.减少栅极氧化层厚度

B.减少硅表面缺陷密度

C.减少漏极电压

D.减少漏极掺杂浓度

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为（)场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。

A.P沟道增强型MOS型

B.P沟道耗尽型MOS型

C.N沟道增强型MOS型

D.N沟道耗尽型MOS型

E.N沟道结型

F.P沟道结型

A.发射极

B.基极

C.集电极

D.源极

用欧姆表的两测试棒分别连接JFFT的漏极和源极,测得阻值为R₁,然后将红棒（接负电压)同时与棚极相连,发现欧姆表上阻值仍近似为R₁,再将黑棒（接正电压)同时与栅极相连,得欧姆表上阻值为R₂,且R₂＜R₁,试确定该场效应管为N沟道还是P沟道.

图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路，已知MOS管的参数为，管子极问电容不计。电路元件R_O=1kΩ，C_O为隔直流电容，C_S为旁路电容，R_C1、R_C2阻值很大，可忽略不计，设λ=0，试用工程估算法求满足起振条件的V_CSmin值，并指出该振荡器足否有栅极电流。