施主浓度分别为10¹³和10¹⁷cm^-3的两个Si样品，设杂质全部电离，分别计算:①室温时的电导率;②200C时的电导率。

若锗中施主杂质电离能△E_D=0.01eV,施主杂质浓度分别为10¹⁴cm^-3及10¹⁷cm^-3，计算（1)99%电离，（2)90%电离，（3)50%电离时温度各为多少？

截面积为0.001cm²的圆柱型纯Si样品，长1mm，接于10V的电源上，室温下希望通过0.1A的电流，问: .①样品的电阻是多少？②样品的电导率应是多少？③应该掺入浓度为多少的施主？

分别计算掺有下列杂质的Si,在室温时的载流子浓度、迁移率和电阻率:

①硼原子3X10¹⁵cm^-3;

②硼原子1.3X10¹⁵cm^-3+磷原子1.0X10¹⁶cm^-3:

③磷原子1.3X10¹⁵cm^-3+硼原子1.0X10¹⁶cm^-3:

④磷原子3X10¹⁵cm^-3+镓原子1X10¹⁷cm^-3+砷原子1X10¹⁷cm^-3。

试从图4-14求室温时杂质浓度分别为10¹⁵，10¹⁶，10¹⁷cm^-3的p型和n型Si样品的空穴和电子迁移率，并分别计算它们的电阻率。再从图4-15分别求它们的电阻率。

利用上题结果，计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离？导带中电子浓度为多少？

500g的Si单晶，掺有4.5X10^-5g的B,设杂质全部电离，试求该材料的电阻率[设μ_p= 500cm²/（V·s)，Si单 晶的密度为2.33g/cm^-3，B原子量为10.8]。