以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时，以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。

掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.044eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和磷的浓度。

掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.04eV,求室温下杂质一般电离时费米能级的位置和磷的浓度。

若锗中施主杂质电离能△E_D=0.01eV,施主杂质浓度分别为10¹⁴cm^-3及10¹⁷cm^-3，计算（1)99%电离，（2)90%电离，（3)50%电离时温度各为多少？

p型空间电荷区由（)构成。

以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。

若硅中施主杂质电离能△ED= 0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3，计算（1)99%电离，（2)90%电离，（3)50%电离时温度各为多少？

在本征硅半导体中,掺人浓度为5x10¹⁵cm^-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为10¹⁶cm^-3的施主杂质,则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

施主浓度分别为10¹³和10¹⁷cm^-3的两个Si样品，设杂质全部电离，分别计算:①室温时的电导率;②200C时的电导率。

利用上题结果，计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离？导带中电子浓度为多少？

以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。