题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
如果没有光照射或pn结注入等外界影响，温度又保持稳定，半导体中将在产生和复合的基础上形成()。
如果没有光照射或pn结注入等外界影响，温度又保持稳定，半导体中将在产生和复合的基础上形成（)。
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第3题
半导体的主要特点有（)。
A.在纯净的半导体材料中，电导率随温度的上升而指数增加
B.半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率，而且在掺杂情况下，温度对电导率的影响较弱
C.在半导体中不可以实现非均匀掺杂
D.光的辐射、高能电子等注入可以影响半导体的电导率
第8题
有一块半导体材料的寿命是lus，无光照的电阻率是10Ω·cm。今用光照射，光被半导体均匀吸收，电子-空穴的产生率是1022cm-3·s-1 ，试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数载流子的贡献占多少比例？
有一块半导体材料的寿命是lus，无光照的电阻率是10Ω·cm。今用光照射，光被半导体均匀吸收，电子-空穴的产生率是1022cm-3·s-1，试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数载流子的贡献占多少比例？
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第9题
用光子流强度为P0，光子能量为hy的光照射一肖特基光电二极管。已知Eg ＞ hy ＞ qφB⌘
用光子流强度为P0，光子能量为hy的光照射一肖特基光电二极管。已知Eg＞ hy＞ qφB⌘
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用光子流强度为P0，光子能量为hy的光照射一肖特基光电二极管。已知Eg＞ hy＞ qφB。(φ为接触势垒高度)，则在金属层内产生的光生电子，有部分向半导体内发射。如金属中光的吸收系数为a,金属厚度为1。在离光照(金属)面x处，光生电子逸入半导体的几率为
。设金属中光生电子量子产额为β。
第10题
下列描述不正确的是（)。
A.二极管的主体是PN结，但两者特性仍有区别
B.半导体、本征半导体均具有导电能力
C.当PN结外加正向电压超过一定大小时，PN结将被击穿
D.二极管特性曲线分三个区：正向工作区、反向工作区、击穿区
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