题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
下列哪种方式有助于为改变材料的逸出功，提升光电发射的几率（)。
A.P型半导体P型表面态
B.P型半导体N型表面态
C.N型半导体P型表面态
D.N型半导体N型表面态
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A.图(1)是P型，图(2)是N型
B.图(1)是N型，图(2)是N型
C.图(1)是P型，图(2)是P型
D.图(1)是N型，图(2)是P型
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第1题
有半导体通以电流I，放在均匀磁场B中，其上下表面积累电荷如图所示。它们的半导体类型分别是()。
有半导体通以电流I，放在均匀磁场B中，其上下表面积累电荷如图所示。它们的半导体类型分别是（)。
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第4题
对半导体而言,其正确的说法是().(1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电.(2)y型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电.(3)P型半导体和N型半导体本身都不带电.
对半导体而言,其正确的说法是（).（1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电.（2)y型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电.（3)P型半导体和N型半导体本身都不带电.
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第6题
肖特基势垒是下面哪种接触形成的？（)
A.金属-氧化物-半导体接触中，半导体中靠近氧化物的区域
B.金属-氧化物接触中，氧化物中靠近金属的区域
C.P型半导体-N型半导体接触时产生的结区
D.金属-半导体接触中，半导体中靠近金属的区域
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