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[单选题]

高压二极管的正向导通电阻为()。

A.10Ω

B.1kΩ

C.20kΩ

D.100kΩ

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第1题

硅二极管正向导通电压为__伏,锗二极管正向导通电压为___伏

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第2题

硅二极管正向导通电压为0.6~0.8V()
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第3题

采用双平衡混频组件作为振幅调制器,如图NP4-16所示。图中。各二极管正向导通电阻为RD,且工

采用双平衡混频组件作为振幅调制器,如图NP4-16所示。图中。各二极管正向导通电阻为RD,且工作在受vc(t)控制的开关状态。设RL>>RD,试求输出电压vo(t)表达式。

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第4题

硅二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。()
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第5题

二极管正向导通的条件是什么?

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第6题

低压稳压电路如图题3.4.17所示。已知5V≤V1≤10V,保证二极管正向导通压降为0.7V的最小电流I≇

低压稳压电路如图题3.4.17所示。已知5V≤V1≤10V,保证二极管正向导通压降为0.7V的最小电流IDmin=2mA,二极管的最大整流电流IDmax=15mA。利用恒压降模型,在保持v0=0.7V时,讨论电阻R和RL的取值范围。

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第7题

比较器如图LT6-23(a)所示,已知稳压骨的Vz=7.3V,正向导通电压VD(on)=0.7V,D3、D4⌘
比较器如图LT6-23(a)所示,已知稳压骨的Vz=7.3V,正向导通电压VD(on)=0.7V,D3、D4⌘

比较器如图LT6-23(a)所示,已知稳压骨的Vz=7.3V,正向导通电压VD(on)=0.7V,D3、D4为理想二极管,VREF1=5V,VREF2=10V,试画出υ0i比较特性.

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第8题

二极管具有单向导通作用()
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第9题

二极管的特点()。

A.单向导电性

B.放大作用

C.反向导通

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第10题

图2-49所示逻辑门均为CMOS电路,写出各电路输出的逻辑表达式。已知电源电压VOD=10V,二极管的
正向导通压降为0.7V.

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第11题

在加电的情况下,可以测量()

A.电阻

B.电压

C.二极管的正反向电阻

D.三极管的正反向电阻

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