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[判断题]

实际上，半导体中通常同时含有施主和受主杂质，当施主数量大于受主时，半导体是n型的;反之，当受主数量大于施主时，则是p型的。（)

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第1题

以n型半导体MIS结构为例，当在栅极上加上负电压时，随着电压的加大，吸引到半导体表面的（)浓度迅速增加，形成反型层。

A.电子

B.电离施主

C.空穴

D.电离受主

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第2题

在本征硅半导体中,掺人浓度为5x10¹⁵cm^-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为10¹⁶cm^-3的施主杂质,则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

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第3题

在硅或锗中如果同时存在施主和受主杂质时，将相互补偿。（)

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第4题

以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。

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第5题

p型空间电荷区由（)构成。

A.电子

B.空穴

C.带正电的电离施主杂质

D.带负电的电离受主杂质

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第6题

以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。

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第7题

采用耗尽近似，N型耗尽区内的泊松方程与（)成正比。

A.施主杂质浓度

B.受主杂质浓度

C.电子浓度

D.空穴浓度

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第8题

PN结的空间电荷区的电荷有（)。

A.施主离子

B.受主离子

C.电子

D.空穴

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第9题

计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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第10题

利用题7所给的Nc和Nv数值及Eg=0.67eV,求温度为300k和500k时，含施主浓度ND= 5X 10¹⁵cm^-3，受主浓度NA=2X10⁹cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少？

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