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[单选题]
电子摆脱共价键而形成电子和空穴的过程，就是一个（)从价带到导带的量子跃迁过程。
A.电子
B.空穴
C.载流子
D.离子
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第1题
电子从价带跃迁到导带的结果是形成一对电子和空穴，因此电子从价带到导带的热跃迁被称为电子-空穴对的()过程。
电子从价带跃迁到导带的结果是形成一对电子和空穴，因此电子从价带到导带的热跃迁被称为电子-空穴对的（)过程。
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第3题
当载流子积累的能量超过禁带宽度时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带，从而产生一对新的电子空穴对，这就是碰撞电离过程，其主要发生在反偏PN结的（)中。
A.中性区
B.欧姆电极
C.耗尽区
D.扩散区
第10题
制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。①
设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的EF位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x1015cm-3,计算300K时的EF位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x1015cm-3,计算300K时EF位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。
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