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[主观题]

若非线性元件伏安特性曲线如图4.5.9所示。为了用作线性放大,工作点应如何选取?选定工作点后,设

输人信号为

若非线性元件伏安特性曲线如图4.5.9所示。为了用作线性放大,工作点应如何选取?选定工作点后,设输人

试求输出电流。

若非线性元件伏安特性曲线如图4.5.9所示。为了用作线性放大,工作点应如何选取?选定工作点后,设输人

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第1题

放大电路如图题5.9.1所示。设BJT的型号为2N2222,β=60。Ra=0。试求放大电路的静态工作点,电压
增益和输入电阻。

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第2题

题2.10图所示为某线性电阻的伏安特性曲线,Q点为静态工作点,则Q点的动态电阻rQ为()。 A、0.
题2.10图所示为某线性电阻的伏安特性曲线,Q点为静态工作点,则Q点的动态电阻rQ为()。 A、0.

题2.10图所示为某线性电阻的伏安特性曲线,Q点为静态工作点,则Q点的动态电阻rQ为()。

A、0.2kΩ

B、0.35kΩ

C、6.7kΩ

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第3题

已知电路参数如图题5.2.9 所示,FET工作点上的互导gn=1mS, 设rds>>Rd(1) 画出电路的小信
已知电路参数如图题5.2.9 所示,FET工作点上的互导gn=1mS, 设rds>>Rd(1) 画出电路的小信

号等效电路; (2)求电压增益AU; (3)求放大器的输人电阻Ri

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第4题

场效晶体管放大电路如图3.18(教材图3.09)所示,已知UDD=20V,R1=300kΩ,R2=100kΩ,R3=2 MΩ,RD=22kΩ,Rs=12kΩ, RL =30kΩ,耗尽型NMOS管的UGS(off)= -1.2 V,IDss=0.5mA,gm=0.4 mA/V。试求:(1)静态工作点;(2)电压放大倍数;(3)输人、输出电阻。
场效晶体管放大电路如图3.18(教材图3.09)所示,已知UDD=20V,R1=300kΩ,R2=100kΩ,R3=2 MΩ,RD=22kΩ,Rs=12kΩ, RL =30kΩ,耗尽型NMOS管的UGS(off)= -1.2 V,IDss=0.5mA,gm=0.4 mA/V。试求:(1)静态工作点;(2)电压放大倍数;(3)输人、输出电阻。

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第5题

电路如图3. 8(教材图3.1.11)所示,设Ucc=12V,RB1=30kΩ,RB2=10kΩ,RE=2.2kΩ,RC=5.1kΩ,RL =3.3kΩ
电路如图3. 8(教材图3.1.11)所示,设Ucc=12V,RB1=30kΩ,RB2=10kΩ,RE=2.2kΩ,RC=5.1kΩ,RL =3.3kΩ

,晶体管UBE=0.7V,β=50。试求:(1)静态工作点;(2)电压放大倍数;(3)输人电阻和输出电阻。

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第6题

在如图题2-10所示电路中,β=100,其他参数如图所示。(1)求静态工作点IBQ、ICQ、ICEQ。(2
在如图题2-10所示电路中,β=100,其他参数如图所示。(1)求静态工作点IBQ、ICQ、ICEQ。(2

在如图题2-10所示电路中,β=100,其他参数如图所示。

(1)求静态工作点IBQ、ICQ、ICEQ

(2)画出中频微变等效电路。

(3)求电压放大倍数

(4)求输入电阻ri和输出电阻ro

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第7题

放大电路如图 3.13(教材图3.06)所示,已知Ucc=15V,RB1=43kΩ,RB2=22kΩ,Rc=1kΩ, 晶体管的β=60,
放大电路如图 3.13(教材图3.06)所示,已知Ucc=15V,RB1=43kΩ,RB2=22kΩ,Rc=1kΩ, 晶体管的β=60,

导通时UBE=0.7V。稳压二极管Dz的稳定电压Uz=3V,动态电阻rz忽略不计。试求:(1)静态工作点IB、IC和UCE;(2)电压放大倍数Au;(3)输人电阻ri和输出电阻r0。

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第8题

将上题电路中的RE分成两部分,如图3.10(a)(教材图3.1.14(a))所示,设RE1=200Ω,RE2=2kΩ电路其他参
将上题电路中的RE分成两部分,如图3.10(a)(教材图3.1.14(a))所示,设RE1=200Ω,RE2=2kΩ电路其他参

数与习题3.1.6相同。试求:

(1)电路的静态工作点;(2)电压放大倍数;(3)输人电阻和输出电阻。

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第9题

已知电路参数如图题4.4.3所示,FET工作点上的gm=1mS,设rdm> Rd。(1)画出电路的小信
已知电路参数如图题4.4.3所示,FET工作点上的gm=1mS,设rdm> Rd。(1)画出电路的小信

号等效电路;(2)求电压增益AF;(3)求放大器的输入电阻Ri

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第10题

题图5-15所示电路中的运算放大器工作于线性区域,试求输人端口的等效电阻Ri=u1/i1。

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