题目内容
（请给出正确答案）
晶格常量为
的一维晶格，当外加10^2 V /m和10^7 V/m的电场时，试分别估算电子自能带底运动到能带顶所需要的时间。
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第1题
已知一维晶格中电子的能带可写成
式中a是晶格常量，m是电子的质量，求:
(1)能带宽度;
(2)电子在波矢k状态的速度;
(3)能带底部和能带顶部的有效质量.
第2题
设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量分Ev(k) 别为
mo为电子惯性质量, k1 =1/ 2a,a= 0.314nm。试求:
①禁带宽度;
②导带底电子有效质量;
③价带顶电子有效质量;
④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
第3题
设晶格常数为a的一维品格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev (k)分别为:
mo为电子惯性质量，k1=l/2a; a=0.314nm。 试求:
①禁带宽度:
②导带底电子有效质量:
③价带顶电子有效质量:
④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
第4题
InSb 的电子有效质量me = 0.015m,介电常量ε= 18,晶格常量a=6.479
。试计算;
(1)施主的电离能;
(2)基态的轨道半径;
(3)若施主均匀分布，相邻杂质原子的轨道之间发生交叠时，掺有的施主杂质浓度应高于多少？
第5题
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