题目内容
（请给出正确答案）
场效应管放大电路如图3-2所示，已知电源电压等于5V，场效应管开启电压为2V，
(1)说明该放大器偏置电路如何稳定静态工作点？
(2)这种偏置电路是否适用于耗尽型场效应管放大电路？为什么？
(3)设ID=1 mA，求
的值。
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第1题
效应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2 mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益A.。
第2题
路的静态工作点并判断场效应管工作状态，定性说明增加或减小R，对静态工作点的影响。
第3题
设场效应管的开启电压是2V，图(a)中衬底极接在电路最低电位上，为保证模拟开关正常工作，请问对输入信号有什么限制？
第4题
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示，设场效应管的参数为gm1=0.7mS，λ1=λ2=0.01V-1。场效
应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae。
第5题
电路如图LPS4-6(a)所示,已知场效应管T1型号为M2N6756,T2型号为M2N6806,
试画出电路传输特性.若υ1为正5V直流电压上叠加幅度10mV、频率1kHz的正弦信号,试画输出信号波形,并分析两管是否工作在饱和区.
第6题
在下图所示的基本电流镜电路中，已知场效应管的参数
和
，电源电压VDO以及电阻R的值，试求参考电流
的表达式。
第7题
题图E6-32是两级放大电路，前级为场效应管放大电路，后级为晶体管放大电路。已知gm=1.5mS，UBE=0.6V，β=80，试求:(1)放大电路的总电压放大倍数;(2)放大电路的输入电阻和输出电阻。
第8题
图8-58所示场效应管放大电路，已知gm=3mA/V。
(1)画出微变等效电路;
(2)计算
第9题
第10题
一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,
已知管子参数
设λ=0,试设计该电路.
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