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简述r如s原癌基因表达技术在痛觉研究中的应用

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A.

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如附图所示,在磁感应强度为B的均匀磁场中作一半径为r的半球面S,S边线所在平面的法线方向单位矢量en与B的夹角为a,则通过半球面S的磁通量为()
如附图所示,在磁感应强度为B的均匀磁场中作一半径为r的半球面S,S边线所在平面的法线方向单位矢量en与B的夹角为a,则通过半球面S的磁通量为()

(A)-πr^2Bsinα

(B)2πr^2B

(C)πr^2B

(D)-πr^2Bcosα

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电路如题图E4-2所示,E=2V,R=10Ω,uc(0-)=0V,iL(0-)=0A,S在t=0时刻合上,求:
电路如题图E4-2所示,E=2V,R=10Ω,uc(0-)=0V,iL(0-)=0A,S在t=0时刻合上,求:

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