在图9-10电路中,已VREF=10V,开关导通压降为0V,试分别求出输入数字量为1000000和0111111时的输

”时的a点电位Va和电流ID1、ID2，,并指出各个二极管是导通还是截止。

图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V₁=200mV,试分别求出V_GS=2.5V、3V时的V₀值,并进行分析.

电路。

(2)v_N是振幅为2V的正弦波时，绘出v_N和v₀的波形，并标出幅值。(3)v_N为正弦波时，v₀的波形与图题3.4.3的v_L波形相同，但与图题3.4.3电路相比，本题电路有什么优缺点？

图2-10所示电路中，V_D1、V_D2为硅二极管，导通压降为0.7V。试回答下列问题:

(1)B端接地，A接5V时，u₀等于多少伏？

(2)B端接10V,A接5V时，u₀等于多少伏？

(3)B端悬空，A接5V,测B和u₀端电压，各应等于多少伏？

(4)A接10kΩ电阻，B悬空，测B和u₀端电压，各应为多少伏？

在图T4.8的接口电路中，已知三极管的β为100，导通时V_BE=0.7V，饱和压降为V_CES=0.1V;R_C=4.7k0。0C门允许的最大负载电流为I_LM=10mA，这时输出的低电平V_OL=0.1V。OC门输出三极管截止时的漏电流为I_OH≤200μA。TTL门电路的低电平输入电流为I_IL=-1.5mA，高电平输入电流为I_IH=20μA。

1.要求三极管反相器输出VC的高电平大于3.5V，低电平低于0.3V，试计算电阻RB的取值范围。

2.若将OC门改为推拉式输出的与非门，会发生什么问题？

静态偏置电压V_Q=0V，在满足线性时变条件下，试分别求出具有图NP4-20所示两种伏安特性的混频管的混频跨导g_mc。

D2D1D0控制。设Ui=0.8 V,试列表示出D2D1D0由000变化到111时U0的大小。

还是截止。