设PNP型硅BJT的电路如图题5.3.6所示。问v_B在什么变化范围内，使T工作在放大区？令β=100。

放大电路如图题6.9.1所示。设信号源内阻R_s1=0，BJT的型号为2N3904，β=100，电路其他参数：R_e=3.3千欧，R_e=1.3千欧，R_b1=33千欧，R_b2=10千欧，R_L=5.1千欧，C_b1=C_b2=10μF，C_e=50μ_F，V_CC=12V。试求：集电结电容C_b在1~10p_F之间变化时，上限频率fH的变化范围。

电路如图题4.7.5所示，BJT的(a)画出高频小信号等效电路，求上限频率fH;(b)如RL提高10倍，问中频区电压增益、上限频率及增益-带宽积各变化多少倍？