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[主观题]
电路如图2-21所示,其三极管为硅管,β=20,试求:(1)v1小于何值时,三极管VT截止,v1大于何值时,三极
电路如图2-21所示,其三极管为硅管,β=20,试求:（1)v1小于何值时,三极管VT截止,v1大于何值时,三极
管VT饱和.
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位值; (2)若电压表读数为200 mV,试求三极管电流放大系数β=Ic/IB的值。
更多“电路如图2-21所示,其三极管为硅管,β=20,试求:(1)…”相关的问题
第1题
电路如图题2.3.5所示，设运放是理想的，三极管T的VNE=VB-VE=0.7 V。(1)求出三极管的c、b、e各极的电
电路如图题2.3.5所示，设运放是理想的，三极管T的VNE=VB-VE=0.7 V。（1)求出三极管的c、b、e各极的电
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第2题
一过压监视电路如图8-6所示.试说明当监视电压r超过一定值时,发光二极管VD将发出闪烁的信号(提
一过压监视电路如图8-6所示.试说明当监视电压r超过一定值时,发光二极管VD将发出闪烁的信号（提
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示:当三极管VT饱和导通时,555的1脚可以认为处于地电位).
第3题
电路如图2-22所示.（1)已知VCC=6V,VCES=0.2V,ICS=10mA,求集电极电阻R.的值.（2)已知三极管的β=50,VBE=O.7V,输入高电平V1H=2V,当电路处于临界饱和时,RB值应是多少？
第4题
三极管放大电路如图8-49所示，已知Ucc=9V,Rc=2kΩ，RB=300kΩ, (1) 计算静态值IB，IC，UCE;(2)如果
三极管放大电路如图8-49所示，已知Ucc=9V,Rc=2kΩ，RB=300kΩ, （1) 计算静态值IB，IC，UCE;（2)如果
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三极管放大电路如图8-49所示，已知Ucc=9V,Rc=2kΩ，RB=300kΩ,
(1) 计算静态值IB，IC，UCE;(2)如果要求Ic=2mA，RB应多大？(3)如果要求UCE=0.3V,RB又应多大？此时三极管处于什么状态？(4)如果Rc=5.1kΩ,RB多大时，三极管处于饱和状态。(UBE=0.7V)
第5题
施密特触发器7413中的施密特电路如图2-20所示，两个三极管的参数分别为：(1)当输入υl=0V时，判
施密特触发器7413中的施密特电路如图2-20所示，两个三极管的参数分别为：（1)当输入υl=0V时，判
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施密特触发器7413中的施密特电路如图2-20所示，两个三极管的参数分别为：
(1)当输入υl=0V时，判断T1、T2管的工作状态，并计算E点的电位uE。
(2)证明当输入υl＞2.4V时，T1饱和、T2截止;当υl＜1.5V时，T1截止、T2饱和。
第6题
在图2-1所示电路中，已知R1=4.3kQ,R2=16kQ,Rc=1.5kn.VOC=12V,VBB=8V,VCL=5
V,输入信号u的高电平为5.5V,低电平为0.3V.试问;
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(1)当三极管VT的放大系数β=30时，三极管能否饱和与截止？
(2)为了保证三极管VT的放大系数在输入信号为商电平时能饱和，β值最小应为多少？
(3)为了保证三极管VT的放大系数在输入信号为低电平时能截止，VBB的最低值应为多少？.
第7题
差分放大器如图4-4所示，试求差分放大器的差模增益和共模抑制比，设各电路参数已知且，三极管工作在
差分放大器如图4-4所示，试求差分放大器的差模增益和共模抑制比，设各电路参数已知且
，三极管工作在放大区，(本例分别采用3种分析方法对差分放大器交流分析，其结果应该相同，所谓条条大路通罗马)
第8题
一比较器电路如图题10.8.4所示。设运放是理想的，且 VREF= -1V，Vz=5V，试求门限电压值VT
一比较器电路如图题10.8.4所示。设运放是理想的，且 VREF= -1V，Vz=5V，试求门限电压值VT，画出比较器的传输特性v0=f(v1)。
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第9题
电路如图题6.1.3所示，NMOS管的参数为: VT=1V，Kn=50μA/V2, λn=0。PMOS管的管的参数为: VT=-1 V,
Kp=25μA/V2, λ=0,设全部管子均运行于饱和区，试求R、I3，和I4的值。各管的W/L值见图示。
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第10题
电路如图题10.6.2所示。(1)试从相位平衡条件分析电路能否产生正弦波振荡;(2)若能振荡，Rf和R
电路如图题10.6.2所示。（1)试从相位平衡条件分析电路能否产生正弦波振荡;（2)若能振荡，Rf和R
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e1的值应有何关系？振荡频率是多少？(3)为了稳幅，电路中哪个电阻可采用热敏电阻，其温度系数如何？
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