图LT4-19所示差分放大器中,已知场效应管的若电容C_D对交流呈短路υ₁=10mΥ,试求值.

图LT4-7所示电路中,已知晶体三极管β=150,V_A=-100V,V_BE(OD)=0.7V,试求设各电容对交流呈短路.

图LP4-56所示为有源负载差分放大器,已知各管参数相同,试画出差模交流通路和等效电路,并求差模输入电阻R_id、差模输出电阻R_od差模电压增益

图LP4-66(a)所示差分放大器,已知等效电阻R_EE=300kΩ,等效电容C_EE=2pF,电路参数管子参数

(1)试求单端输出时的高频差模源电压增益并画出相应的渐近幅频波特图;(2)若忽略管子的极间电容,仅有C_EE,试求单端输出时的高频共模源电压增益函数表示式.

~250pF，R_L=5kΩ，g_m=30mS，C_bc=20pF，β足够大。Q₀=80，试求能够起振的频率范围，图中C_B、C_C对交流呈短路，L_E为高频扼流圈。

图LT5-7所示为电流并联负反馈电路,已知R_F1=750Ω,R_F2=1.2kΩ,R_S=1kΩ,R₀₂=4kΩ,R_L=1kΩ,R_f=10kΩ,设各电容对交流呈短路,R_B1、R_B2忽略不计,试在深度负反馈条件下,求

在图LT3-4所示电路中,已知V_GS(th)=-1.5V,增强型MOS管的沟道长度调制效应忽略不计,试求值.

差分放大器如图4-4所示，试求差分放大器的差模增益和共模抑制比，设各电路参数已知且，三极管工作在放大区，(本例分别采用3种分析方法对差分放大器交流分析，其结果应该相同，所谓条条大路通罗马)

图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V₁=200mV,试分别求出V_GS=2.5V、3V时的V₀值,并进行分析.